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DH5R5T3G
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，具备低栅极电荷和超低导通电阻，散热良好
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- 描述
- SGT3工艺/N管/100V/120A/5.5MΩ/(典型4.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH5R5T3G
- 商品编号
- C54428025
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 120A，RDS(ON) < 5.5mΩ（@VGS = 10V，典型值为4.5mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- MSL3