温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DE003TDG
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET，低栅极电荷，导通电阻低，散热良好
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SGT2工艺/N管/60V/160A/3MΩ/(典型2.8MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE003TDG
- 商品编号
- C54427972
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.7pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 160A，在VGS = 10V时RDS(ON) < 3mΩ（典型值：2.5mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好
- MSL3