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PSMN7R8-100PSEQ实物图
  • PSMN7R8-100PSEQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN7R8-100PSEQ

PSMN7R8-100PSEQ

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN7R8-100PSEQ
商品编号
C553333
商品封装
TO-220AB​
包装方式
编带
商品毛重
2.695克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)83A
导通电阻(RDS(on))7.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)294W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)128nC@10V
输入电容(Ciss)7.11nF
反向传输电容(Crss)310pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用TO220封装的标准电平N沟道MOSFET,安全工作区(SOA)性能得到改善。PSMN7R8 - 100PSE足够坚固,能够承受开关过程中较大的浪涌电流和故障电流,同时具备低导通电阻RDS(on)特性,可降低持续使用时的温度并提高效率。非常适合基于48V背板/电源轨的电信系统。

商品特性

  • 增强的安全工作区(SOA),在线性模式工作时提供卓越保护
  • 低导通电阻RDS(on),降低传导损耗

应用领域

  • 电子保险丝
  • 热插拔/软启动
  • 不间断电源
  • 电机控制

数据手册PDF