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PSMN8R0-80YLX
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R0-80YLX
- 商品编号
- C553337
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.167nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 284pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，适用于各种电源和电机控制设备。
商品特性
- 先进的TrenchMOS技术，实现低导通电阻（RDSon）和低栅极电荷
- 逻辑电平栅极驱动
- 雪崩额定值，100%测试
- LFPAK封装在Power SO8封装中实现最大功率密度
应用领域
- 电源设备中的同步整流
- 输出电压（Vout）小于10 V的充电器和适配器
- 快速充电和USB-PD应用
- 电池供电的电机控制
- LED照明和电视背光源
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