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PSMNR70-30YLHX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMNR70-30YLHX

1个N沟道 耐压:30V 电流:300A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMNR70-30YLHX
商品编号
C553352
商品封装
SOT-669​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))0.82mΩ@10V
耗散功率(Pd)268W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)5.473nF
反向传输电容(Crss)478pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET,针对低导通电阻(RDSon)进行了优化。即使在高温下,漏电流(IDSS)也很低,效率高,额定电流高达300 A,适用于直流负载开关和热插拔应用。

商品特性

  • 在I(AS) = 190 A时进行100%雪崩测试
  • 针对低导通电阻(RDSon)进行优化
  • 25°C时漏电流低于1 μA
  • 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰(EMI)设计
  • 针对4.5 V栅极驱动进行优化
  • 采用铜夹设计,降低寄生电感和电阻
  • 高可靠性LFPAK封装,可在175°C环境下工作
  • 可进行波峰焊接;外露引脚,确保最佳焊接覆盖率并便于目视检查焊接情况

应用领域

  • 热插拔
  • 电子保险丝
  • 电源“或”操作
  • 直流开关/负载开关
  • 电池保护
  • 有刷和无刷直流(BLDC)电机控制
  • 交流-直流和直流-直流应用中的同步整流

数据手册PDF