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2N7002PV,115
2个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
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- 描述
- 双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装为超小型SOT666表面贴装器件 (SMD)。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002PV,115
- 商品编号
- C551422
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小型SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
~~- 逻辑电平兼容-开关速度极快-沟槽MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路