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2N7002P,235
1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
- 描述
- N- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- 2N7002P,235
- 商品编号
- C551418
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、封装为小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
~~- 通过AEC-Q101认证-沟槽MOSFET技术-逻辑电平兼容-开关速度极快
应用领域
- 高速线路驱动器-继电器驱动器-低端负载开关-开关电路