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PSMNR90-40YLHX
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
- 描述
- 采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK56E封装的300A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。本产品专为高性能功率开关应用而设计并通过相关认证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMNR90-40YLHX
- 商品编号
- C553356
- 商品封装
- LFPAK56E-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.833333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.94mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.673nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 764pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 连续 ID(\max) 为300A
- 雪崩额定,100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低 QRR、QG 和 QGD,适用于高系统效率和低EMI设计
- 肖特基增强型体二极管,实现软开关,且无相关的高 IDSS 泄漏
- 强大的线性模式/SOA额定值
- 利用NextPower-S3超结技术,针对4.5V栅极驱动进行优化
- 高可靠性LFPAK(Power SO8)封装,采用铜夹和焊料芯片连接,可在175°C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点,确保高质量焊点以实现极致可靠性
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-高性能同步整流-DC-DC转换器-高性能、高效率服务器电源-无刷直流电机控制-电池保护-负载开关和电子保险丝