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PSMN8R5-100ESQ
PSMN8R5-100ESQ
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R5-100ESQ
- 商品编号
- C553338
- 商品封装
- SOT-226-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
采用I2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于标准电平栅极驱动源
应用领域
- 交流转直流电源设备
- 电机控制
- 服务器电源
- 同步整流
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