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PSMN8R5-40MLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 采用先进的TrenchMOS超结技术、175℃ LFPAK33封装的60 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高频高效开关应用而设计并通过了相关验证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R5-40MLDX
- 商品编号
- C553341
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.77V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.296nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS超结技术、175°C LFPAK33封装的60 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。本产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。
商品特性
- 雪崩额定,100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低QRR、QG和QGD,实现高系统效率,尤其在高开关频率下
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下使用
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-次级侧同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机驱动-LED照明