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PSMN8R5-40MLDX
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 采用先进的TrenchMOS超结技术、175℃ LFPAK33封装的60 A逻辑电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高频高效开关应用而设计并通过了相关验证。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R5-40MLDX
- 商品编号
- C553341
- 商品封装
- LFPAK33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.77V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.296nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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