FQU2N50B-VB
N沟道;电压:650V;电流:2A;导通电阻:4300(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQU2N50B-VB
- 商品编号
- C54177082
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 417pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,简化驱动要求
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- FQU3N60CTU-VB
- FQU5N50C-VB
- FQU5N60C-VB
- FS10SM-10-VB
- FS14UM-10-VB
- FS16VS-10-VB
- FS3KM-9-VB
- HGT1S7N60C3DS9A-VB
- IPA50R250CP-VB
- IPA60R280P6XKSA1-VB
- IPA60R299CP-VB
- IPA60R380C6-VB
- IPA60R380E6-VB
- IPA60R385CP-VB
- IPA60R600C6-VB
- IPA65R045C7XKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA2-VB
- IPA65R310CFD-VB
- IPA65R380E6-VB
- IPB50R299CP-VB
- FQU3N60CTU-VB
- FQU5N50C-VB
- FQU5N60C-VB
- FS10SM-10-VB
- FS14UM-10-VB
- FS16VS-10-VB
- FS3KM-9-VB
- HGT1S7N60C3DS9A-VB
- IPA50R250CP-VB
- IPA60R280P6XKSA1-VB
- IPA60R299CP-VB
- IPA60R380C6-VB
- IPA60R380E6-VB
- IPA60R385CP-VB
- IPA60R600C6-VB
- IPA65R045C7XKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA2-VB
- IPA65R310CFD-VB
- IPA65R380E6-VB
- IPB50R299CP-VB



