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FQU5N50C-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQU5N50C-VB

N沟道;电压:650V;电流:5A;导通电阻:950(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;5A;RDS(ON)=950(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
商品型号
FQU5N50C-VB
商品编号
C54177084
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))950mΩ@10V
耗散功率(Pd)205W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC
输入电容(Ciss)320pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)75pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 低栅极电荷Qg,简化驱动要求
  • 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
  • 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF