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IPA65R045C7XKSA1-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA65R045C7XKSA1-VB

N沟道;电压:650V;电流:18A;导通电阻:230(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;18A;RDS(ON)=230(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
商品型号
IPA65R045C7XKSA1-VB
商品编号
C54177098
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)92nC
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 低品质因数(FOM):导通电阻(R_on)×栅极电荷(Q_g)
  • 低输入电容(C_iss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Q_g)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光镇流器照明
  • 工业应用

数据手册PDF