CSD85301Q2T-VB

N+N沟道；电压：30V；电流：5.8A；导通电阻：22(mΩ)

描述

台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；N+N—Channel沟道；30V；5.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

CSD85301Q2T-VB

商品编号

C54177116

商品封装

DFN-6(2x2)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)