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HGT1S7N60C3DS9A-VB实物图
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HGT1S7N60C3DS9A-VB

HGT1S7N60C3DS9A-VB

描述
台积电流片,长电科技封装;IGBT+FRD配置;TO263;600/650(V);ICE (A):7AVCEsat (V)typ:1.65V@ VGE=15V;VGE(±V):±30V;VGEth(V):5V;采用FS技术;
商品型号
HGT1S7N60C3DS9A-VB
商品编号
C54177090
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)14A
耗散功率(Pd)58W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)18nC
属性参数值
输入电容(Ciss)990pF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)74pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)
  • 符合RoHS标准
  • 低关断损耗
  • 无卤
  • 高速开关
  • 最高结温175°C
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

  • 电信:服务器和电信电源
  • 照明:高强度气体放电灯(HID)、荧光镇流器照明
  • 消费和计算:ATX电源
  • 工业:焊接、电池充电器
  • 可再生能源:太阳能(光伏逆变器)
  • 开关模式电源(SMPS)

数据手册PDF