IPA60R600C6-VB
N沟道;电压:650V;电流:12A;导通电阻:680(mΩ)
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;12A;RDS(ON)=680(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPA60R600C6-VB
- 商品编号
- C54177097
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) R_on × Q_g
- 低输入电容 (C_iss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Q_g)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明 - 高强度放电 (HID) - 荧光镇流器照明
- 工业
- IPA65R045C7XKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA2-VB
- IPA65R310CFD-VB
- IPA65R380E6-VB
- IPB50R299CP-VB
- IPB60R299CPA-VB
- IPB65R310CFD-VB
- IPD50R399CP-VB
- IPD50R950CE-VB
- IPD60R2K0C6-VB
- IPD60R380C6-VB
- IPD60R380E6-VB
- IPD60R380P6-VB
- IPD60R385CP-VB
- IPD60R450E6-VB
- IPD60R600P6-VB
- IPD65R950CFD-VB
- CSD85301Q2T-VB
- SIB912DK-T1-GE3-VB
- IPL60R105P7AUMA1-VB
- IPA65R045C7XKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA1-VB
- IPA65R190CFDXKSA2-VB
- IPA65R310CFD-VB
- IPA65R380E6-VB
- IPB50R299CP-VB
- IPB60R299CPA-VB
- IPB65R310CFD-VB
- IPD50R399CP-VB
- IPD50R950CE-VB
- IPD60R2K0C6-VB
- IPD60R380C6-VB
- IPD60R380E6-VB
- IPD60R380P6-VB
- IPD60R385CP-VB
- IPD60R450E6-VB
- IPD60R600P6-VB
- IPD65R950CFD-VB
- CSD85301Q2T-VB
- SIB912DK-T1-GE3-VB
- IPL60R105P7AUMA1-VB



