- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPA60R385CP-VB
N沟道；电压：650V；电流：20A；导通电阻：320(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=320(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPA60R385CP-VB
- 商品编号
- C54177096
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.414nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数（FOM），即导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 采用TO - 220 FULLPAK封装
- N沟道MOSFET
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