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FS16VS-10-VB实物图
  • FS16VS-10-VB商品缩略图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FS16VS-10-VB

N沟道；电压：650V；电流：18A；导通电阻：430(mΩ)

描述
台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FS16VS-10-VB
商品编号
C54177088
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))360mΩ@10V
耗散功率(Pd)208W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)71nC
输入电容(Ciss)2.322nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
  • 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
  • 低输入电容（Ciss）
  • 由于降低了反向恢复电荷（Qrr），开关损耗低
  • 超低栅极电荷（Qg）
  • 雪崩能量额定（UIS）

应用领域

  • 电信领域：服务器和电信电源
  • 高强度气体放电灯（HID）
  • 荧光镇流器照明
  • 消费和计算领域：ATX电源
  • 工业领域：焊接、电池充电器
  • 可再生能源领域：太阳能（光伏逆变器）
  • 开关模式电源（SMPS）

数据手册PDF

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