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NTGD3148NT1G
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 应用：笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- NTGD3148NT1G
- 商品编号
- C5123953
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 513pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET，可在175°C环境下工作。PSMN4R8 - 100YSE在高可靠性铜夹片LFPAK56E封装中实现了极低的导通电阻（RDSon）和出色的线性模式（SOA）性能。PSMN4R8 - 100YSE与最新的“热插拔”控制器相匹配，其坚固耐用，可承受开启时的大涌入电流；低导通电阻可将I²R损耗降至最低，在完全导通时实现最佳效率；与现有的D2PAK封装相比，占位面积缩小了80%。
商品特性
- 全面优化的安全工作区（SOA），实现卓越的线性模式运行
- 低导通电阻（RDSon），降低I²R传导损耗
- LFPAK56E封装，适用于要求在30mm²占位面积内实现高性能和高可靠性的应用
应用领域
- 热插拔-负载开关-软启动-电子保险丝-基于48V背板/电源轨的电信系统