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FDC6401N
2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDC6401N
- 商品编号
- C5123955
- 商品封装
- SOT-163
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 513pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-网络设备-手持仪器