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TPM8205ATS6-1
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 目标产品采用沟槽功率技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于快速开关应用。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM8205ATS6-1
- 商品编号
- C5123968
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 466pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- N沟道
- VDS = 60V，ID = 6.0A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- P沟道
- VDS = -60V，ID = -5A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 95mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 需采用无铅产品
- 表面贴装封装
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