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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7343TRPBF

耐压:60V 电流:5A

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描述
特性:N沟道:VDS = 60V,ID = 6.0A,RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。 P沟道:VDS = -60V,ID = -5A,RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = -10V
商品型号
IRF7343TRPBF
商品编号
C5123950
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A;5A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V;88mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V;26nC@10V
输入电容(Ciss)1.45nF@20V
反向传输电容(Crss)110pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)60pF;145pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 6A
  • 栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 23mΩ
  • 栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 35mΩ

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式设备电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF