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TPM60NP5S8
耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60NP5S8
- 商品编号
- C5123938
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V；26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF；145pF |
优惠活动
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