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SL50N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=83?C(A) 50 PD@TC=83?C(W) 136 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.63V -
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL50N06D
- 商品编号
- C5122516
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端结构,在不随时间降低性能的前提下,增强了耐压能力。此外,这款先进的MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计,特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路,并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-雪崩电压和电流特性全面-散热性能良好的封装-高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性好