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SL50N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=83?C(A) 50 PD@TC=83?C(W) 136 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.63V -
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL50N06D
- 商品编号
- C5122516
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 104pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SL1002B是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 SL1002B符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术