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SL2314
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- SL231 4是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低线路功率损耗
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2314
- 商品编号
- C5122527
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 578pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 20V/4.5A,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
- 20V/2.5A,RDS(ON) = 55mΩ(典型值)@ VGS = 2.5V
- 20V/2.0A,RDS(ON) = 80mΩ(典型值)@ VGS = 1.8V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器