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SL05N06Z
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=80?C(A) 5 PD@TC=80?C(W) 0.5 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.60V 150
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL05N06Z
- 商品编号
- C5122580
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 散热性能优良的封装
- 超低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
应用领域
- 功率开关应用