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IRF640
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 200 ID@TC=93?C(A) 18 PD@TC=93?C(W) 150 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.73V -
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- IRF640
- 商品编号
- C5122558
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 30V，ID = 12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 12mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关