- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD5930P
MOS管 TO-252 P场 -100V -25A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，P场，电压：-100V，电流：-25A，10V内阻：0.125Ω，功率：65W，CissTyp：800pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5930P
- 商品编号
- C53896382
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、高效开关DC/DC转换器和直流电机控制。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制