- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMH44N50SD
MOS管 TO-247 N场 500V 44A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-247，N场，电压：500V，电流：44A，10V内阻：0.14Ω，功率：568W，CissTyp：8900pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH44N50SD
- 商品编号
- C53896386
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 568W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
这些功率MOSFET采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。500V、典型值115mΩ、44A的N沟道MOSFET。
商品特性
- 超快体二极管
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 电源