- 引脚图
- 焊盘图
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CMHG65R020-4
SiC MOS TO-247-4 N场 650V 100A
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- 描述
- SiC MOS，封装：TO-247-4，N场，电压：650V，电流：100A，10V内阻：0.026Ω，功率：350W，CissTyp：3500pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMHG65R020-4
- 商品编号
- C53896388
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET器件采用了Cmos先进的SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻（RDS(on)），同时具备低电容和极高的开关操作性能，可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
商品特性
- 宽带隙SiC MOSFET技术
- 易于并联且驱动简单
- 高阻断电压下的低导通电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 不间断电源