- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSA019N06L
MOS管 DFN-8 5x6 N场 60V 200A
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- 描述
- MOS管，封装：DFN-8 5x6，N场，电压：60V，电流：200A，10V内阻：0.002Ω，4.5V内阻：0.0035Ω，功率：200W，CissTyp：9000pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA019N06L
- 商品编号
- C53896393
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMSA019N06L采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。这是适用于服务器同步整流和通用应用的器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸（5×6mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 高频开关和同步整流