- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMF65R380Y
COOLMOS TO-220F N场 650V 11A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-220F，N场，电压：650V，电流：11A，10V内阻：0.36Ω，功率：31W，CissTyp：750pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R380Y
- 商品编号
- C53896385
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 315mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
65R380Y是一款功率MOSFET，采用Cmos先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师提供了低EMI和低开关损耗的优势。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- 开关应用
- PFC电源级