AFE10004RGETEP

AFE10004-EP是一款高度集成的自主式功率放大器(PA)精密模拟前端(AFE)，集成了4路温度补偿数模转换器(DAC)、内置EEPROM和栅极偏置开关。4路DAC由存储在内部EEPROM中的4个独立的用户自定义温度-电压转换函数编程。该设计无需额外外部电路即可校正温度效应。启动后，该器件无需系统控制器干预即可运行，为控制应用中的偏置电压设置和补偿提供完整系统。AFE10004-EP具有4路栅极偏置输出，可通过专用控制引脚开启和关闭。栅极偏置开关设计用于快速响应。结合器件的PA_ON引脚，该快速响应可实现耗尽型晶体管（如GaAs和GaN）的正确电源排序和保护。功能集成和宽工作温度范围使AFE10004-EP成为射频系统中功率放大器的一体式自主偏置控制电路。灵活的DAC输出范围和内置排序功能使该器件可用作多种晶体管技术的偏置控制器，例如LDMOS、GaAs和GaN。

• 受控基线
• 一个组装和测试地点
• 一个制造地点
• 产品可追溯性
• 延长产品生命周期
• 本地和远程二极管温度传感器
• 最大误差为±2.5℃
• 分辨率为0.0625℃
• 内部EEPROM用于自主运行
• 可存储四个独立转换函数
• 可存储器件配置
• 开放空间可供用户存储
• 数据合格保留时长为15年
• 四个模拟输出
• 四个单调性DAC，分辨率1.22mV
• 输出范围自动配置
• 正输出电压最大为5.5V
• 负输出电压最小为-10V
• 高电流驱动能力
• 源电流最高可达100mA
• 灌电流最高可达20mA
• 高容性负载耐受，最高可达15μF
• 栅极偏置通断控制开关
• 两个可编程关断电压
• 两个辅助DAC，分辨率1.22mV
• 典型开关时间为50ns
• 最大电阻为3Ω
• 内置时序控制
• 内部2.5V基准
• SPI和I2C接口，工作电压范围1.7V 至 3.6V
• SPI为4线接口
• I2C支持八个可选外设地址
• 规定工作温度范围为-55℃ 至 +125℃