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TDA21241

TDA21241 同步降压转换器

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描述: TDA21241 是一款多芯片模块,集成了高性能的栅极驱动器、高侧和低侧MOSFET。适用于同步降压转换器应用,最大平均电流为35A,输入电压范围为4.5V至16V。具有快速开关技术,支持高开关频率（>500kHz）。封装为PG-IQFN-30-2 (4 x 4 x 1 mm³)。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: TDA21241
商品编号: C539587
商品封装: IQFN-30-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

英飞凌TDA21241是一款多芯片模块，在单个PG-IQFN-30-2封装中集成了一流的MOSFET技术，包含一个高端和一个低端MOSFET，以及一个强大、高性能、高开关频率的栅极驱动器。与分立解决方案相比，优化的栅极时序可显著提高轻载效率。当与英飞凌的数字多相控制器系列结合使用时，TDA21241可为先进的微处理器和图形处理器以及负载点应用形成完整的核心电压调节器解决方案。 TDA21241在单个PG-IQFN-30-2封装中集成了一个高性能栅极驱动器、一个高端功率MOSFET和一个低端功率MOSFET。这种布局的优势体现在提高性能、提高效率以及降低整体封装和布局电感等方面。该模块非常适合用于同步降压调节器。功率MOSFET针对5 V栅极驱动进行了优化，可实现出色的高负载和轻负载效率。栅极驱动器是一款强大的高性能驱动器，其开关节点的直流电压范围为 -1 V至 +21 V。这种方案在16 mm²的面积内传输功率的功率密度约为60 W。

商品特性

适用于同步降压转换器降压电压应用
最大平均电流35 A
输入电压范围 +4.5 V至 +16 V
功率MOSFET额定电压25 V
快速开关技术，可在高开关频率（>500 kHz）下提高性能
远程驱动器禁用功能
包含自举二极管
欠压锁定
直通保护
高端和低端MOSFET驱动电压 +5 V
与标准 +3.3 V PWM控制器集成电路兼容
三态PWM输入功能
小封装：PG-IQFN-30-2（4×4×1 mm³）
符合RoHS标准
热警告

应用领域

台式机和服务器VR降压转换器
单相和多相负载点
笔记本电脑、台式机显卡、DDR内存、图形内存中的CPU/GPU调节
高功率密度电压调节器模块（VRM）
符合JEDEC（JESD47、JESD22、J-STD20）标准的DC-DC工业应用

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(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	4.5V~16V
	输出电压	-
	输出电流	-
	开关频率	1MHz
	工作温度	-40℃~+125℃

	属性	参数值
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	内置
	输出类型	-