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BM3139KE
P沟道MOSFET，采用沟槽技术，具有低导通电阻、低栅极电荷和ESD保护功能，适用于负载开关、低电流DC/DC转换器和低电流逆变器
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM3139KE
- 商品编号
- C52993693
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V
- 漏极电流(ID) = -0.5 A
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 530 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -2.5 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 750 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -1.8 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 1100 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
- 静电放电保护
应用领域
- 负载开关
- 低电流逆变器
- 低电流直流-直流转换器