- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BM3134KT
N沟道MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，适用于负载开关和接口开关，具备超低导通电阻
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM3134KT
- 商品编号
- C52993694
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
- 获得无铅产品
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 523表面贴装封装
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 0.5 A
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON)典型值为220 mΩ
- VGS = 2.5 V时,RDS(ON)典型值为290 mΩ
应用领域
-负载开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换