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BMI06P331
P沟道MOSFET，采用分裂栅沟槽MOSFET技术，低导通电阻和品质因数，极低开关损耗，稳定性和均匀性好
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI06P331
- 商品编号
- C52993703
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V
- 漏极电流ID = -35 A
- 栅源电压VGS = -10 V时的导通电阻RDS(ON),典型值 = 25 mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5 V时的导通电阻RDS(ON),典型值 = 32 mΩ
应用领域
-电源管理-便携式设备