- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMQ03N530
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和良好稳定性
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMQ03N530
- 商品编号
- C52993695
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BMQ03N530采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- BV \textDSS = 30V
- ID = 63 A
- 典型值 RDS(on) = 3.9 m Ω @ VGS = 10 V
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
应用领域
- 开关电源和通用应用
- 硬开关和高频电路