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BM138KE
N沟道MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，高密度单元设计实现超低导通电阻，SOT-723表面贴装封装，具备2KV HMB ESD保护
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM138KE
- 商品编号
- C52993698
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 930pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 23.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
-先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计-表面贴装封装SOT-723-人体模型静电防护2KV
商品特性
- 漏源击穿电压(BVDSS) = 50 V
- 漏极电流(ID) = 0.5 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 1.1 Ω
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 1.5 Ω