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BMO10N380实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BMO10N380

N沟道MOSFET,具备快速开关、低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻特性,适用于功率开关、电机控制和UPS应用

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商品型号
BMO10N380
商品编号
C52993701
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)113A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)44nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.055nF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.378nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 快速开关
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 低栅极电阻
  • 经过100%单脉冲雪崩耐量测试

应用领域

  • 功率开关应用
  • 电机控制
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF