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BMO04N480
N沟道MOSFET，快速开关，低栅极电荷，低反向传输电容
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMO04N480
- 商品编号
- C52993699
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.267867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 995pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS) = 45V,漏极电流(ID) = 60A
- 栅源电压(VGS) = 10V时的导通电阻(RDS(on)),典型值 = 4.0 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时的导通电阻(RDS(on)),典型值 = 5.5 mΩ
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- 电子烟、电动工具