温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD110N06
N场 TO-252 60V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MOS，TO-252，N场，耐压：60V，电流：80A，10V内阻：0.011Ω，4.5V内阻：0.019Ω，功率：100W,CissTyp：680PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD110N06
- 商品编号
- C52976733
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
110N06采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-高频开关和同步整流