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CMF20B65D
IGBT TO-220F 650V 20A
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- 描述
- IGBT，TO-220F，耐压：650V，电流：20A，功率：37W,CissTyp：1500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF20B65D
- 商品编号
- C52976739
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 输出电容(Coes) | 75pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 30A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.5nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 80ns | |
| 导通损耗(Eon) | 410uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 480uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 112ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 集电极截止电流(Ices@Vce) | 10uA |