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CMF60R360D
N场 TO-220F 600V 11A
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- 描述
- COOLMOS，TO-220F，N场，耐压：600V，电流：11A，10V内阻：0.36Ω，功率：35W,CissTyp：500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF60R360D
- 商品编号
- C52976740
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
60R360D是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻、栅极电荷，并减少振铃趋势。因此，其开关损耗极低，非常适合开关应用。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备更高的耐用性和出色的ESD能力，是设计师的理想之选。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 适配器
- PFC电源级
- DC-DC转换器