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CMH65R060SD
N场 TO-247 650V 50A
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- 描述
- COOLMOS，TO-247，N场，耐压：650V，电流：50A，10V内阻：0.06Ω，功率：500W,CissTyp：3700PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH65R060SD
- 商品编号
- C52976744
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.910556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
65R060SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效和轻便。
商品特性
- 超快体二极管
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 多层外延芯片技术
应用领域
- 充电器-电源