温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMP10N65A
N场 TO-220 650V 10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MOS，TO-220，N场，耐压：650V，电流：10A，10V内阻：1Ω，功率：40W,CissTyp：1300PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP10N65A
- 商品编号
- C52976745
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.657克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低。 这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源