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CME4N10M
N场 SOT-89 100V 4A
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- 描述
- MOS，SOT-89，N场，耐压：100V，电流：4A，10V内阻：0.28Ω，4.5V内阻：0.32Ω，功率：2.5W,CissTyp：180PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CME4N10M
- 商品编号
- C52976737
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0965克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
CME4N10M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
- 100V、典型值244mΩ、4A的N沟道MOSFET
应用领域
- DC/DC转换器