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CMF10N80A
N场 TO-220F 800V 10A
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- 描述
- MOS，TO-220F，N场，耐压：800V，电流：10A，10V内阻：1Ω，功率：60W,CissTyp：2150PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF10N80A
- 商品编号
- C52976738
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
10N80A采用先进的平面条纹DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。 这些器件非常适合高效开关模式电源。 800V、典型值885mΩ、10A的N沟道MOSFET
商品特性
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 不间断电源