- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IFS100B12N3E4P_B11
IFS100B12N3E4P_B11
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IFS100B12N3E4P_B11
- 商品编号
- C535989
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 515W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.2nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 350pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 170ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 450ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 11mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |