BGA 8V1BN6 E6327

BGA8V1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖3.3 GHz至3.8 GHz的宽频率范围。在第4章所述的应用配置中，该LNA在4.2 mA的电流消耗下可提供15.0 dB的增益和1.2 dB的噪声系数。在旁路模式下，LNA的插入损耗为5.3 dB。BGA8V1BN6基于B9HF硅锗技术，工作电源电压范围为1.6 V至3.1 V。该器件具有多状态控制功能（关断、旁路和高增益模式）。

• 工作频率：3.3 - 3.8 GHz
• 插入功率增益：15.0 dB
• 旁路模式下的插入损耗：5.3 dB
• 低噪声系数：1.2 dB
• 低电流消耗：4.2 mA
• 多状态控制：关断、旁路和高增益模式
• 电源电压：1.6 V至3.1 V
• 超小型TSNP-6-2无引脚封装（尺寸：0.7x1.1 mm²）
• B9HF硅锗技术
• RF输入和RF输出内部匹配至50欧姆
• 无需外部贴片元件
• 2kV人体模型（HBM）静电放电保护（包括AI引脚）
• 无铅（符合RoHS标准）封装

• 使用该低噪声放大器可显著提高LTE数据速率。集成的旁路功能可增加整个系统的动态范围，并使RF前端更具灵活性。
• 在高增益模式下，LNA可提供最佳噪声系数，即使在LTE小区边缘也能确保高数据速率。在靠近基站时，可激活旁路模式以降低电流消耗。